Hyper ARGUS
®
LED
Hyper-Bright, 3 mm (T1), TS GaAIAs LED,
Non Diffused
LH K376
Besondere Merkmale
q
farbloses, klares Gehäuse
q
Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie,
q
q
q
q
q
q
q
transparentes Substrat
Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet
gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weiß-
druck) vor dem äußeren Reflektor
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
q
Hinweis:
Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale
Transmission an die von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.
Features
q
colorless, clear package
q
double heterojunction in GaAIAs technology, transparent
q
q
q
q
q
q
q
substrate
plasic package with a special design
in connection with an additional, custom
built reflector suitable for backlighting of display panels
for optical coupling into light pipes
uniform illumination of a diffuser screen in front of the
custom built reflector
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
q
Note:
If the diffuser screen is tinted, the spectral
transmission must be adjusted to the wavelength emitted
by the LED.
Semiconductor Group
1
11.96
VEX06712
LH K376
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
hyper-red
Gehäusefarbe
Color of
Package
colorless clear
Lichtstrom
Luminous Flux
I
F
= 20 mA
Φ
V
(mlm)
63 ... 200
100 ... 200
160 ... 320
100 ... 500
Bestellnummer
Ordering Code
LH K376-QS
LH K376-R
LH K376-S
LH K376-RT
Q62703-Q3492
Q62703-Q3304
Q62703-Q3305
Q62703-Q3493
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit
Φ
V max
/
Φ
V min
≤
2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit
Φ
V max
/
Φ
V min
≤
2.0.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25 ˚C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
50
0.5
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
3
130
V
mW
R
th JA
500
K/W
Semiconductor Group
2
LH K376
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 20 mA
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
Temperaturkoeffizient von
I
v
bzw.
Φ
v
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
I
v
or
Φ
v
,
I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Symbol
Symbol
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
(typ.)
∆λ
(typ.)
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
(typ.)
C
0
Werte
Values
660
Einheit
Unit
nm
645
nm
22
nm
1.85
2.3
0.01
10
30
V
V
µA
µA
pF
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
TC
I
(typ.)
(typ.)
(typ.)
TC
V
(typ.)
(typ.)
TC
λ
(typ.)
100
100
– 0.4
ns
ns
%/K
–3
+ 0.16
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
3
LH K376
Relative spektrale Emission
Φ
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
Φ
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LH K376
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 ˚C
Relativer Lichtstrom
Φ
V
/Φ
V(20 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous flux
T
A
= 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
