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JAN2N1131L

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小228KB,共9页
制造商Raytheon Company
官网地址https://www.raytheon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

JAN2N1131L概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

JAN2N1131L规格参数

参数名称属性值
包装说明TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/177F
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

JAN2N1131L相似产品对比

JAN2N1131L JAN2N1132L
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
包装说明 TO-5, 3 PIN TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 30
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/177F MIL-19500/177F
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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