Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | TO-5, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
JEDEC-95代码 | TO-5 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500/177F |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
JAN2N1131L | JAN2N1132L | |
---|---|---|
描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN |
包装说明 | TO-5, 3 PIN | TO-5, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.6 A | 0.6 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V | 40 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 | 30 |
JEDEC-95代码 | TO-5 | TO-5 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500/177F | MIL-19500/177F |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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