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JAN2N5796

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小77KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
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JAN2N5796概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78

JAN2N5796规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-78
JESD-30 代码O-MBCY-W6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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