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JANTX2N3485A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
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JANTX2N3485A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46

JANTX2N3485A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-46
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1
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