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JANTX2N5793

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-99, 8 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小762KB,共15页
制造商Raytheon Company
官网地址https://www.raytheon.com/
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JANTX2N5793概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-99, 8 PIN

JANTX2N5793规格参数

参数名称属性值
包装说明SIMILAR TO TO-99, 8 PIN
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码O-MBCY-W8
元件数量2
端子数量8
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/495D
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)310 ns
最大开启时间(吨)45 ns
Base Number Matches1

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The documentation and process conversion measures necessary to
comply with this revision shall be completed by 30 January 2004.
P.O.C. Gregory Cooley, PH 614-692-0515.
E-mail: gregory.cooley@dla.mil.
INCH-POUND
MIL-PRF-19500/495D
30 October 2003
SUPERSEDING
MIL-PRF-19500/495C
10 August 1998
PERFORMANCE SPECIFICATION
SEMICONDUCTOR DEVICE, UNITIZED, DUAL-TRANSISTOR, NPN, SILICON,
TYPES 2N5793, 2N5794, AND 2N5794U, JAN, JANTX, AND JANTXV
This specification is approved for use by all Departments
and Agencies the Department of Defense.
1. SCOPE
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for unitized, dual transistors which contain a
pair of electrically isolated unmatched NPN, silicon transistors in one package. Three levels of product assurance are
provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.
1.2 Physical dimensions. See figures 1 (similar to TO-99) and 2 (surface mount).
* 1.3 Maximum ratings. T
A
= +25°C, unless otherwise specified.
P
T
(1)
T
A
= +25°C
One section
Total device
W
0.5
W
0.6
mA dc
600
V dc
75
V dc
40
V dc
6.0
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
R
θJA
One section
°C/W
350
R
θJA
Total device
°C/W
290
°C
-65 to +200
T
J
and T
STG
(1) For T
A
25°C, derate linearly 2.86 mW/°C one section, 3.43 mW/°C total.
C
obo
V
CB
= 10 V dc
I
E
= 0
100 kHz
f
1 MHz
pF
Minimum
Maximum
8.0
h
fe
V
CE
= 20 V dc
I
C
= 20 mA dc
f = 100 MHz
ns
2.0
10.0
45
ns
310
t
on
Switching
t
off
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in
improving this document should be addressed to: Defense Supply Center, Columbus, ATTN: DSCC-VAC,
P.O. Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD
Form 1426) appearing at the end of this document or by letter.
AMSC N/A
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
FSC 5961

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-99, 8 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-99, 8 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-99, 8 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-99, 8 PIN
包装说明 SIMILAR TO TO-99, 8 PIN SIMILAR TO TO-99, 8 PIN SIMILAR TO TO-99, 8 PIN SIMILAR TO TO-99, 8 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V 40 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20 35
JESD-30 代码 O-MBCY-W8 O-MBCY-W8 O-MBCY-W8 O-MBCY-W8
元件数量 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/495D MIL-19500/495D MIL-19500/495D MIL-19500/495D
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 310 ns 310 ns 310 ns 310 ns
最大开启时间(吨) 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns
Base Number Matches 1 1 1 1
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