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2N6312

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
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2N6312概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), PNP

2N6312规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-609代码e0
最高工作温度200 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)75 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)4 MHz
Base Number Matches1

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