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JAN2N6301

产品描述Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213, Metal, 2 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小150KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
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JAN2N6301概述

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213, Metal, 2 Pin

JAN2N6301规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JEDEC-95代码TO-213
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz
Base Number Matches1
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