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2N5932

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小761KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
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2N5932概述

Transistor

2N5932规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)30 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-609代码e0
最高工作温度200 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)100 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

2N5932相似产品对比

2N5932 2N5929 2N5936 2N5039 2N5839 2N5840 2N5933 2N5937 2N5930 2N5805
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 30 A 30 A 30 A 20 A 3 A 3 A 30 A 30 A 30 A 5 A
配置 Single Single Single Single Single Single Single Single Single SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20 20 10 10 20 20 20 10
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 175 °C 175 °C 175 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 100 W 100 W 100 W 140 W 57 W 57 W 100 W 100 W 100 W 62 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz 30 MHz 60 MHz 5 MHz 5 MHz 30 MHz 30 MHz 30 MHz 15 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

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