参考设计
基于 GaN 的高效率 1.6kW 高密度 1MHz CrM 图腾柱 PFC 转换器参考设计
高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-0961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™ F280049 控制器。此高密度 (165 x 84 x 40mm) 2 级双交错 1.6kW 设计适用于多种空间有限的...
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效率为 98.6% 且适用于 HEV/EV 车载充电器的 6.6kW 图腾柱 PFC 参考设计
This reference design functions from a base of silicon carbide (SiC) MOSFETs that are driven by a C2000 microcontroller (MCU) with SiC-isolated gate drivers. The design implemen...
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针对 HEV/EV 车载充电器的双向 CLLLC 谐振、双有源电桥 (DAB) 参考设计
具有双向电源流功能和软开关特性的 CLLLC 谐振 DAB 是混合动力电动汽车/电动汽车 (HEV/EV) 车载充电器和能源存储应用的一种理想候选方案。此设计演示了在闭合电压和闭合电流环路模式中使用 C2000™ MCU 控制此电源拓扑。可供此设计使用的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。 特性 ● ...
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使用 C2000 MCU、基于 Vienna 整流器的三相功率因数校正参考设计
高功率三相功率因数 (AC-DC) 应用中(例如非板载 EV 充电器和电信整流器)使用了 Vienna 整流器电源拓扑。整流器的控制设计可能很复杂。此设计说明了使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 控制功率级的方法。还根据 HTTP GUI 页面和以太网支持(仅 F2838x)实现了对 Vienna 整流器的监测和控制。供该设计使用的硬件和软件可帮...
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交错式 CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计
交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件,由于具有电源效率高和尺寸减小的特点,因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率,此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态...
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Vienna Rectifier-Based Three Phase Power Factor Correction Reference Design Using C2000 MCU
Description Vienna rectifier power topology is used in high power three phase power factor (AC-DC) applications such as off board EV chargers and telecom rectifiers. Control de...
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使用 C2000 MCU、基于 Vienna 整流器的三相功率因数校正参考设计
高功率三相功率因数 (AC-DC) 应用中(例如非板载 EV 充电器和电信整流器)使用了 Vienna 整流器电源拓扑。整流器的控制设计可能很复杂。此设计说明了使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 控制功率级的方法。还根据 HTTP GUI 页面和以太网支持(仅 F2838x)实现了对 Vienna 整流器的监测和控制。供该设计使用的硬件和软件可帮...
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交错式 CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计
交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件,由于具有电源效率高和尺寸减小的特点,因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率,此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态...
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