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MIG50J7CSB1W

产品描述TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
产品类别其他集成电路(IC)    信号电路   
文件大小185KB,共11页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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MIG50J7CSB1W概述

TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT

MIG50J7CSB1W规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
模拟集成电路 - 其他类型AC MOTOR CONTROLLER
JESD-30 代码R-XXMA-X26
JESD-609代码e0
功能数量1
端子数量26
最高工作温度100 °C
最低工作温度-20 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)16.5 V
最小供电电压 (Vsup)13.5 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术HYBRID
温度等级OTHER
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
Base Number Matches1

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MIG50J7CSB1W
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
MIG50J7CSB1W
(600V/50A 7in1)
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
·
·
·
·
·
·
Integrates inverter, brake power circuit and control circuits (IGBT drive units, and units for protection against
short-circuit current, over-current, under-voltage and over-temperature) into a single package.
The electrodes are isolated from the case
Low thermal resistance
V
CE (sat)
= 1.8 V (typ.)
UL recognized: File No.E87989
Weight: 278 g (typ.)
Equivalent Circuit
20
19
18
17
16
15
14
13
12 11 10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
FO
IN V
D
GND
FO
IN V
D
GND
FO
IN V
D
GND
FO
IN V
D
GND
GND IN FO V
D
GND IN FO V
D
GND IN FO V
D
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
GND V
S
OUT
W
1.
8.
15.
V
D
(U)
GND (V)
Open
2.
9.
16.
V
FO (U)
V
D
(W)
IN (B)
3.
10.
17.
IN (U)
FO (W)
IN (X)
U
4.
11.
18.
GND (U)
IN (W)
IN (Y)
B
5.
12.
19.
V
D
(V)
GND (W)
IN (Z)
6.
13.
20.
FO (V)
V
D
(L)
GND (L)
N
7.
14.
IN (V)
FO (L)
P
1
2002-09-25

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