电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N6382

产品描述Transient Suppressor,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小129KB,共2页
制造商MDE Semiconductor
官网地址http://www.mdesemiconductor.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1N6382概述

Transient Suppressor,

1N6382规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
MDE Semiconductor, Inc.
78-150 Calle Tampico, Unit 210, La Quinta, CA. U.S.A. 92253 Tel: 760-564-8656 • Fax: 760-564-2414
ICTE5.0 to ICTE15C MPTE-5 to MPTE-45
1N6373 to 1N6381 and 1N6382 to 1N6389
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V
1500 Watt Peak Power
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94 V-O
• Glass passivated chip junction in Molded Plastic package
• 1500W surge capability at 1ms
• Excellent clamping capability
• Low zener inpedance
• Fast response time: typically less than
1.0 ps from 0 volts to BV min.
• Typical IR less than 1µA above 10V
• High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds/ .375", (9.5mm) lead
length, 5lbs., (2.3kg) tension
• Includes 1N6373 thru 1N6385
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-201 Molded plastic
Terminals: Plated Axial leads, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denoted positive end (cathode)
except Bipolar
Mounting Position: Any
Weight: 0.045 ounces, 1.2 grams
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
RATING
Peak Pulse Power Dissipation at TA = 25 °C, TP = 1ms
(NOTE 1)
SYMBOL
P
ppm
Ippm
VALUE
Minimum 1500
SEE TABLE 1
5.0
200
3.5
-55 +175
UNITS
Watts
Amps
Watts
Amps
Volt
°C
Peak Pulse Current of on 10/1000 µs waveform
(Note 1)
Steady State Power Dissipation at
T
L
= 75°C
Lead lengths .375", 9.5mm
(Note 2)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load,
(JEDEC Method)(Note 3)
Maximum instantaneous forward voltage at 100A for
unidirectional only
Operatings and Storage Temperature Range
P
m(AV)
I
FSM
Vf
Tj, Tstg
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above Ta=25 °C per Fig.2.
2. Mounted on Copper Pad area of 0.8x0.8" (20x20mm) per Fig.5.
3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, Duty cycle=4 pulses per minutes maximum.
8/6/2002
哪位大神帮我看看这个程序为什么实现不了目标
程序的问题我在文档里面备注了,希望哪位大神能帮我看看,如果我描述的那个问题不清楚的话,请联系我,谢谢,626168776(我不知道这个可不可以留QQ号),你发现了问题也可以在帖子回复,我随 ......
zhongduanwuxiao 51单片机
最近终于把阻抗匹配和史密斯圆图搞懂了,总结了一下!
使用史密斯圆图分析匹配网络的步骤 ①将匹配网络按照串并联分成若干段,每一段对应一个阻抗图或导纳图上的一个点; ②根据工作频率,计算出串联元件的电阻(电阻器)或电抗(电容器与电感 ......
ghoulich 无线连接
串口发送程序(发送数据时不再等待)
献给像我一样的菜鸟——串口发送程序(发送数据时不再等待)背景:我之前的程序中,串口发送一串数据时总是要等待上一个字符发送完才能发送下一个字符。以波率为9600时发送10个字符为例,每个字符 ......
threeyears 单片机
8962那款开发板比较好啊!
8962那款开发板比较好啊!就是用的人比较多的!...
wzp2007 微控制器 MCU
arm smull指令深入解析???
arm 汇编代码 ... mov r1,#2 mov r2,#0x70000000 eor r3,r3,r3 eor r4,r4,r4 smull r3,r4,r0,r1 ... 结果: r3=0xfffffffd r4=0x0 我不明白,能告诉我64bit整数乘法过程吗...
虾段 ARM技术
提取微弱小信号的锁相放大器试制 总结
从提出方案到设计本子,调试花了许多业余时间。问了许多从事电子的工程师,包括博士和工作几年的老师都不清楚锁相放大器。总是和锁相环弄混。再次在说明一下锁相放大器和锁相环是两个东西。锁 ......
70120662 ADI 工业技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1427  119  968  318  151  18  37  1  48  47 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved