电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N1190R

产品描述Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共1页
制造商Discrete Semiconductor Industries
下载文档 详细参数 全文预览

1N1190R在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N1190R - - 点击查看 点击购买

1N1190R概述

Rectifier Diode

1N1190R规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Technical Data
DIODE
maximum ratings
Voltage, Reverse (VR)
Voltage, Reverse Peak (VRM)
Current at VR = OV (IO)
Current Average Rectified (IF)
Current Surge Peak (IFM)
Current, Surge (IFM) at tp = 8.3 ms
Max. Power Dissipation (PT) at TC = 25 °C
Max. Thermal Resistance (Rth J-C)
Max. Junction Temperature (TJ)
empty
500.0
empty
0.9
200.0
600.0
600.0
empty
40.0
V
V
A
A
A
A
W
°C/W
°C
NO.
TYPE
empty
empty
CASE
empty
empty
1N1190R
SI - RECTIFIER
empty
empty
DO-5_UNF
ANODE-TO-CASE
empty
PERFORMANCE CHARACTERISTICS at T
C
= 25°C, unless otherwise noted
NO.
SYMBOL
IF = 100.0 A
VR = 600.0 V
VR = 600.0 V, TC = 150.0° C
CONDITIONS
(1)
MIN.
-
-
-
MAX.
1.3
30.0
3.0
UNITS
V
µA
mA
1. VF
2. IR
3. IR
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
Notes
(1)pulse-tested tp
300 µs, duty cycle
2 %
empty
empty
empty
DIMENSIONS
in mm
1N1190R
Marking
Customer GENERAL PURPOSE

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 290  1649  1310  2913  64  3  46  28  17  8 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved