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1N4770V

产品描述9.1V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共3页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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1N4770V概述

9.1V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE

1N4770V规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性TEMPERATURE COMPENSATED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压9.1 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
电压温度Coeff-Max0.91 mV/°C
工作测试电流0.5 mA
Base Number Matches1
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