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IRF6610

产品描述HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小233KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF6610概述

HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM

IRF6610规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)13 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.0068 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
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