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TLE2161BM

产品描述TLE2161BM JFET-Input Low Power High Drive Decompensated Single Operational Amplifier
产品类别半导体    模拟混合信号IC   
文件大小1MB,共33页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

TLE2161BM概述

TLE2161BM JFET-Input Low Power High Drive Decompensated Single Operational Amplifier

TLE2161BM规格参数

参数名称属性值
Input common mode headroom (to negative supply)(Typ)(V)3
FeaturesDecompensated
Output swing headroom (to positive supply)(Typ)(V)-0.3
Total supply voltage(Max)(+5V=5, +/-5V=10)36
Number of channels(#)1
Input common mode headroom (to positive supply)(Typ)(V)1
Iq per channel(Typ)(mA)0.29
Offset drift(Typ)(uV/C)6
RatingMilitary
Rail-to-railIn to V+
Slew rate(Typ)(V/us)10
Output current(Typ)(mA)50
GBW(Typ)(MHz)6.4
Vn at 1 kHz(Typ)(nV/rtHz)40
CMRR(Typ)(dB)90
CMRR(Min)(dB)72
Package GroupCDIP|8
Input bias current(Max)(pA)60
ArchitectureFET
Iq per channel(Max)(mA)0.35
Operating temperature range(C)-55 to 125
Output swing headroom (to negative supply)(Typ)(V)0.3
Vos (offset voltage @ 25 C)(Max)(mV)0.5
Total supply voltage(Min)(+5V=5, +/-5V=10)7

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