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TLC374MFKB

产品描述Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator 20-LCCC -55 to 125
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共27页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

TLC374MFKB概述

Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator 20-LCCC -55 to 125

TLC374MFKB规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QLCC
包装说明QCCN, LCC20,.35SQ
针数20
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
放大器类型COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB)0.00003 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.02 µA
最大输入失调电压5000 µV
JESD-30 代码S-CQCC-N20
长度8.89 mm
功能数量4
端子数量20
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出类型OPEN-DRAIN
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC20,.35SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称响应时间650 ns
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度2.03 mm
最大压摆率0.15 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.89 mm

TLC374MFKB相似产品对比

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描述 Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator 20-LCCC -55 to 125 Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator 20-LCCC -55 to 125 Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator 14-CDIP -55 to 125 Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator 14-CDIP -55 to 125 Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator 14-CDIP -55 to 125 TLC374M Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator TLC374 Quad General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments - -
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) - -
零件包装代码 QLCC QLCC DIP DIP DIP - -
包装说明 QCCN, LCC20,.35SQ QCCN, LCC20,.35SQ DIP-14 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 - -
针数 20 20 14 14 14 - -
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - -
Factory Lead Time 1 week 6 weeks 6 weeks 6 weeks 6 weeks - -
放大器类型 COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR - -
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00003 µA 0.00003 µA 0.00003 µA 0.02 µA 0.00003 µA - -
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.02 µA 0.02 µA 0.02 µA 0.02 µA 0.02 µA - -
最大输入失调电压 5000 µV 10000 µV 10000 µV 10000 µV 5000 µV - -
JESD-30 代码 S-CQCC-N20 S-CQCC-N20 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 - -
长度 8.89 mm 8.89 mm 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm - -
功能数量 4 4 4 4 4 - -
端子数量 20 20 14 14 14 - -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C - -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C - -
输出类型 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN - -
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED - -
封装代码 QCCN QCCN DIP DIP DIP - -
封装等效代码 LCC20,.35SQ LCC20,.35SQ DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 - -
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE - -
包装方法 TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
电源 5 V 4/10 V 4/10 V 5 V 5 V - -
认证状态 Not Qualified Qualified Qualified Not Qualified Not Qualified - -
标称响应时间 650 ns 650 ns 650 ns 650 ns 650 ns - -
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 - MIL-STD-883 - -
座面最大高度 2.03 mm 2.03 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm - -
最大压摆率 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA - -
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V - -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - -
表面贴装 YES YES NO NO NO - -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - -
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY - -
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - -
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
宽度 8.89 mm 8.89 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm - -

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