SN54HC03J概述

Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates With Open-Drain Outputs 14-CDIP -55 to 125

SN54HC03J规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP-14
针数	14
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
系列	HC/UH
JESD-30 代码	R-GDIP-T14
JESD-609代码	e0
长度	19.56 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE
最大I（ol）	0.0052 A
功能数量	4
输入次数	2
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	OPEN-DRAIN
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
包装方法	TUBE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/6 V
最大电源电流（ICC）	0.04 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup	36 ns
传播延迟（tpd）	155 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

SN54HC03J相似产品对比

	SN54HC03J	5962-87647012A	5962-8764701CA	SNJ54HC03FK	SNJ54HC03J	SN74HC03	SN54HC03
描述	Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates With Open-Drain Outputs 14-CDIP -55 to 125	Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates With Open-Drain Outputs 20-LCCC -55 to 125	Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates With Open-Drain Outputs 14-CDIP -55 to 125	Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates With Open-Drain Outputs 20-LCCC -55 to 125	Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates With Open-Drain Outputs 14-CDIP -55 to 125	SN74HC03 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates With Open-Drain Outputs	SN54HC03 Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates With Open-Drain Outputs
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	-	-
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-	-
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	-	-
零件包装代码	DIP	QLCC	DIP	QLCC	DIP	-	-
包装说明	DIP-14	QCCN, LCC20,.35SQ	DIP, DIP14,.3	LCC-20	DIP-14	-	-
针数	14	20	14	20	14	-	-
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	-	-
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	-
Factory Lead Time	6 weeks	1 week	6 weeks	6 weeks	6 weeks	-	-
系列	HC/UH	HC/UH	HC	HC/UH	HC/UH	-	-
JESD-30 代码	R-GDIP-T14	S-CQCC-N20	R-GDIP-T14	S-CQCC-N20	R-GDIP-T14	-	-
长度	19.56 mm	8.89 mm	19.56 mm	8.89 mm	19.56 mm	-	-
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	-	-
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	-	-
最大I（ol）	0.0052 A	0.0052 A	0.0052 A	0.0052 A	0.0052 A	-	-
功能数量	4	4	4	4	4	-	-
输入次数	2	2	2	2	2	-	-
端子数量	14	20	14	20	14	-	-
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	-	-
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-
输出特性	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	-	-
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	-	-
封装代码	DIP	QCCN	DIP	QCCN	DIP	-	-
封装等效代码	DIP14,.3	LCC20,.35SQ	DIP14,.3	LCC20,.35SQ	DIP14,.3	-	-
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	-	-
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	-	-
包装方法	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
电源	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	-	-
最大电源电流（ICC）	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	-	-
Prop。Delay @ Nom-Sup	36 ns	190 ns	190 ns	36 ns	36 ns	-	-
传播延迟（tpd）	155 ns	155 ns	155 ns	155 ns	155 ns	-	-
认证状态	Not Qualified	Qualified	Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-
施密特触发器	NO	NO	NO	NO	NO	-	-
座面最大高度	5.08 mm	2.03 mm	5.08 mm	2.03 mm	5.08 mm	-	-
最大供电电压 (Vsup)	6 V	6 V	6 V	6 V	6 V	-	-
最小供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	-	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-	-
表面贴装	NO	YES	NO	YES	NO	-	-
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	-
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	-	-
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	-	-
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	-	-
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
宽度	7.62 mm	8.89 mm	6.67 mm	8.89 mm	7.62 mm	-	-
筛选级别	-	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-PRF-38535	MIL-PRF-38535	-	-

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