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NM27LV512L250

产品描述64KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, WINDOWED, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小312KB,共10页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

NM27LV512L250概述

64KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, WINDOWED, LCC-32

NM27LV512L250规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFJ
包装说明WQCCN, LCC32,.45X.55
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间250 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度524288 bi
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码WQCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.09 mm
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

NM27LV512L250相似产品对比

NM27LV512L250 NM27LV512L200 NM27LV512LE250 NM27LV512L300
描述 64KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, WINDOWED, LCC-32 64KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, LCC-32 64KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, WINDOWED, LCC-32 IC 64K X 8 UVPROM, 300 ns, CQCC32, WINDOWED, LCC-32, Programmable ROM
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFJ QFJ QFJ QFJ
包装说明 WQCCN, LCC32,.45X.55 WQCCN, LCC32,.45X.55 WQCCN, LCC32,.45X.55 WQCCN, LCC32,.45X.55
针数 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 250 ns 200 ns 250 ns 300 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm
内存密度 524288 bi 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 WQCCN WQCCN WQCCN WQCCN
封装等效代码 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.09 mm 3.09 mm 3.09 mm 3.09 mm
最大待机电流 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A
最大压摆率 0.015 mA 0.015 mA 0.015 mA 0.015 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm
Base Number Matches 1 1 1 1
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