High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates 14-CDIP -55 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP-14 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 系列 | HC/UH |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 |
| 长度 | 19.56 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.0052 A |
| 功能数量 | 3 |
| 输入次数 | 3 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 包装方法 | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2/6 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.04 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 30 ns |
| 传播延迟（tpd） | 150 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| CD54HC10F3A | 5962-8984301CA | CD54HC10F | CD54HCT10F3A | CD54HC10 | CD54HCT10 | CD74HC10 | CD74HCT10 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 | High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 | High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 | High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 | CD54HC10 High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates | CD54HCT10 High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates | CD74HC10 High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates | CD74HCT10 High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates |
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