CMOS 64-Stage Static Shift Register 16-CDIP -55 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 6 weeks |
| 其他特性 | DELAYED BUFFERED CLOCK OUTPUT FOR CASCADING |
| 计数方向 | RIGHT |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| 长度 | 19.56 mm |
| 负载电容(CL) | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | SERIAL IN SERIAL OUT |
| 最大频率@ Nom-Sup | 2000000 Hz |
| 最大I(ol) | 0.0015 A |
| 位数 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出极性 | COMPLEMENTARY |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 包装方法 | TUBE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/15 V |
| 最大电源电流(ICC) | 0.3 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 220 ns |
| 传播延迟(tpd) | 500 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | No |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 6.92 mm |
| 最小 fmax | 6 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| CD4031BF3A | CD4031B-MIL | CD4031B | |
|---|---|---|---|
| 描述 | CMOS 64-Stage Static Shift Register 16-CDIP -55 to 125 | CD4031B-MIL CMOS 64-Stage Static Shift Register | CD4031B CMOS 64-Stage Static Shift Register |
| 零件包装代码 | DIP | - | DIE |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | - | DIE, |
| 针数 | 16 | - | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | - | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | - | 3A001.A.2.C |
| 其他特性 | DELAYED BUFFERED CLOCK OUTPUT FOR CASCADING | - | DELAYED BUFFERED CLOCK OUTPUT FOR CASCADING |
| 计数方向 | RIGHT | - | RIGHT |
| 系列 | 4000/14000/40000 | - | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | - | R-XUUC-N16 |
| 逻辑集成电路类型 | SERIAL IN SERIAL OUT | - | SERIAL IN SERIAL OUT |
| 位数 | 64 | - | 64 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 16 | - | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C |
| 输出极性 | COMPLEMENTARY | - | COMPLEMENTARY |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP | - | DIE |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | - | UNCASED CHIP |
| 传播延迟(tpd) | 500 ns | - | 500 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V | - | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | - | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | - | UPPER |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE | - | POSITIVE EDGE |
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