CMOS Triple 3-Input NAND Gate 14-CDIP -55 to 125
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP-14 |
针数 | 14 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
系列 | 4000/14000/40000 |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 |
长度 | 19.56 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.0068 A |
功能数量 | 3 |
输入次数 | 3 |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
包装方法 | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5/15 V |
最大电源电流(ICC) | 0.03 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 250 ns |
传播延迟(tpd) | 250 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 18 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
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