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8101701EA

产品描述CMOS 4-Stage Parallel In/Parallel Out Shift Register 16-CDIP -55 to 125
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小991KB,共17页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

8101701EA概述

CMOS 4-Stage Parallel In/Parallel Out Shift Register 16-CDIP -55 to 125

8101701EA规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time1 week
其他特性J AND K BAR SERIAL INPUT
计数方向BIDIRECTIONAL
系列4000/14000/40000
JESD-30 代码R-GDIP-T16
JESD-609代码e0
长度19.56 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型PARALLEL IN PARALLEL OUT
最大频率@ Nom-Sup2000000 Hz
最大I(ol)0.0015 A
位数4
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出极性CONFIGURABLE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5/15 V
最大电源电流(ICC)0.3 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup200 ns
传播延迟(tpd)500 ns
认证状态Qualified
施密特触发器No
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)18 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发器类型POSITIVE EDGE
宽度7.62 mm
最小 fmax8 MHz
Base Number Matches1

8101701EA相似产品对比

8101701EA CD4035BF CD4035BF3A CD4035B-MIL CD4035B
描述 CMOS 4-Stage Parallel In/Parallel Out Shift Register 16-CDIP -55 to 125 CMOS 4-Stage Parallel In/Parallel Out Shift Register 16-CDIP -55 to 125 CMOS 4-Stage Parallel In/Parallel Out Shift Register 16-CDIP -55 to 125 CD4035B-MIL CMOS 4-Stage Parallel In/Parallel Out Shift Register CD4035B CMOS 4-Stage Parallel In/Parallel Out Shift Register
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments - -
零件包装代码 DIP DIP DIP - -
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP-16 DIP, DIP16,.3 - -
针数 16 16 16 - -
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant - -
Factory Lead Time 1 week 1 week 1 week - -
其他特性 J AND K BAR SERIAL INPUT J AND K BAR SERIAL INPUT J AND K BAR SERIAL INPUT - -
计数方向 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL - -
系列 4000/14000/40000 4000/14000/40000 4000/14000/40000 - -
JESD-30 代码 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 - -
长度 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm - -
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF - -
逻辑集成电路类型 PARALLEL IN PARALLEL OUT PARALLEL IN PARALLEL OUT PARALLEL IN PARALLEL OUT - -
最大频率@ Nom-Sup 2000000 Hz 8000000 Hz 2000000 Hz - -
最大I(ol) 0.0015 A 0.0015 A 0.0015 A - -
位数 4 4 4 - -
功能数量 1 1 1 - -
端子数量 16 16 16 - -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C - -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C - -
输出极性 CONFIGURABLE CONFIGURABLE CONFIGURABLE - -
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED - -
封装代码 DIP DIP DIP - -
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE - -
包装方法 TUBE TUBE TUBE - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
电源 5/15 V 5/15 V 5/15 V - -
最大电源电流(ICC) 0.3 mA 0.3 mA 0.3 mA - -
Prop。Delay @ Nom-Sup 200 ns 200 ns 200 ns - -
传播延迟(tpd) 500 ns 500 ns 500 ns - -
认证状态 Qualified Not Qualified Not Qualified - -
施密特触发器 No No No - -
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm - -
最大供电电压 (Vsup) 18 V 18 V 18 V - -
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V - -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V - -
表面贴装 NO NO NO - -
技术 CMOS CMOS CMOS - -
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
触发器类型 POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE - -
宽度 7.62 mm 7.62 mm 6.92 mm - -
最小 fmax 8 MHz 8 MHz 8 MHz - -
Base Number Matches 1 1 1 - -

 
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