5962-88576012A概述

Dual 4-Input Positive-AND Gates 20-LCCC -55 to 125

5962-88576012A规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
零件包装代码	QLCC
包装说明	QCCN, LCC20,.35SQ
针数	20
Reach Compliance Code	not_compliant
Factory Lead Time	1 week
系列	HC/UH
JESD-30 代码	S-CQCC-N20
长度	8.89 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	AND GATE
最大I（ol）	0.0052 A
功能数量	2
输入次数	4
端子数量	20
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC20,.35SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
包装方法	TUBE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/6 V
最大电源电流（ICC）	0.04 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup	265 ns
传播延迟（tpd）	165 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	2.03 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8.89 mm
Base Number Matches	1

5962-88576012A相似产品对比

	5962-88576012A	5962-8857601CA	SN54HC21J	SNJ54HC21FK	SNJ54HC21J	SN74HC21	SN54HC21
描述	Dual 4-Input Positive-AND Gates 20-LCCC -55 to 125	Dual 4-Input Positive-AND Gates 14-CDIP -55 to 125	Dual 4-Input Positive-AND Gates 14-CDIP -55 to 125	Dual 4-Input Positive-AND Gates 20-LCCC -55 to 125	Dual 4-Input Positive-AND Gates 14-CDIP -55 to 125	SN74HC21 Dual 4-Input Positive-AND Gates	SN54HC21 Dual 4-Input Positive-AND Gates
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	-	-
零件包装代码	QLCC	DIP	DIP	QLCC	DIP	-	-
包装说明	QCCN, LCC20,.35SQ	DIP, DIP14,.3	DIP, DIP14,.3	QCCN, LCC20,.35SQ	DIP, DIP14,.3	-	-
针数	20	14	14	20	14	-	-
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	-	-
Factory Lead Time	1 week	6 weeks	1 week	1 week	1 week	-	-
系列	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	-	-
JESD-30 代码	S-CQCC-N20	R-GDIP-T14	R-GDIP-T14	S-CQCC-N20	R-GDIP-T14	-	-
长度	8.89 mm	19.56 mm	19.56 mm	8.89 mm	19.56 mm	-	-
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	-	-
逻辑集成电路类型	AND GATE	AND GATE	AND GATE	AND GATE	AND GATE	-	-
最大I（ol）	0.0052 A	0.0052 A	0.0052 A	0.0052 A	0.0052 A	-	-
功能数量	2	2	2	2	2	-	-
输入次数	4	4	4	4	4	-	-
端子数量	20	14	14	20	14	-	-
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	-	-
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	-	-
封装代码	QCCN	DIP	DIP	QCCN	DIP	-	-
封装等效代码	LCC20,.35SQ	DIP14,.3	DIP14,.3	LCC20,.35SQ	DIP14,.3	-	-
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	-	-
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	-	-
包装方法	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
电源	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	-	-
最大电源电流（ICC）	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	-	-
Prop。Delay @ Nom-Sup	265 ns	265 ns	33 ns	33 ns	33 ns	-	-
传播延迟（tpd）	165 ns	165 ns	165 ns	165 ns	165 ns	-	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-
施密特触发器	NO	NO	NO	NO	NO	-	-
筛选级别	MIL-STD-883	MIL-STD-883	-	MIL-PRF-38535	MIL-PRF-38535	-	-
座面最大高度	2.03 mm	5.08 mm	5.08 mm	2.03 mm	5.08 mm	-	-
最大供电电压 (Vsup)	6 V	6 V	6 V	6 V	6 V	-	-
最小供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	-	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-	-
表面贴装	YES	NO	NO	YES	NO	-	-
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	-
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	-	-
端子形式	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	-	-
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	-	-
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
宽度	8.89 mm	6.67 mm	7.62 mm	8.89 mm	7.62 mm	-	-

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