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LM358N

产品描述DUAL OP-AMP, 9000 uV OFFSET-MAX, PDIP8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小138KB,共12页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
相似器件已查找到4个与LM358N功能相似器件
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LM358N概述

DUAL OP-AMP, 9000 uV OFFSET-MAX, PDIP8

双运算放大器, 9000 uV 最大补偿, PDIP8

LM358N规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
制造商包装代码8LD, MDIP, JEDEC MS-001, .300" WIDE
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID372638
Samacsys Pin Cou8
Samacsys Part CategoryIntegrated Circui
Samacsys Package CategoryDual-In-Line Packages
Samacsys Footprint NamePDIP-8 CASE626-05 ISSUE P
Samacsys Released Date2018-06-10 12:10:07
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.5 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.25 µA
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压9000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.2 mm
低-失调NO
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-1.5/+-15/3/30 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大压摆率2 mA
供电电压上限32 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最小电压增益15000
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

LM358N相似产品对比

LM358N LM358AM LM2904M LM2904 LM258AN
描述 DUAL OP-AMP, 9000 uV OFFSET-MAX, PDIP8 DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDSO8 DUAL OP-AMP, 10000 uV OFFSET-MAX, PDSO8 SMALL SIGNAL TRANSISTOR DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1.1 MHz BAND WIDTH, PDIP8
端子数量 8 8 8 5 8
表面贴装 NO YES YES Yes NO
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Brand Name Fairchild Semiconduc Fairchild Semiconduc Fairchild Semiconduc - -
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 - 符合
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild - Fairchild
零件包装代码 DIP SOIC SOIC - DIP
包装说明 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 - DIP-8
针数 8 8 8 - 8
制造商包装代码 8LD, MDIP, JEDEC MS-001, .300" WIDE 8LD, SOIC,JEDEC MS-012, .150\" NARROW BODY 8LD, SOIC,JEDEC MS-012, .150" NARROW BODY - -
Reach Compliance Code compli compli compli - compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER - OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK - VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.5 µA 0.2 µA 0.5 µA - 0.1 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.25 µA 0.1 µA 0.25 µA - 0.08 µA
标称共模抑制比 80 dB 85 dB 80 dB - 85 dB
频率补偿 YES YES YES - YES
最大输入失调电压 9000 µV 5000 µV 10000 µV - 4000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 - R-PDIP-T8
JESD-609代码 e3 e3 e3 - e3
长度 9.2 mm 4.92 mm 4.92 mm - 9.2 mm
低-失调 NO NO NO - NO
功能数量 2 2 2 - 2
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C - 85 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP SOP - DIP
封装等效代码 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25 - DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - 260
电源 +-1.5/+-15/3/30 V +-1.5/+-15/3/30 V +-1.5/+-13/3/26 V - +-1.5/+-15/3/30 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 1.8 mm 1.8 mm - 5.08 mm
最大压摆率 2 mA 2 mA 2 mA - 2 mA
供电电压上限 32 V 32 V 26 V - 32 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V - 5 V
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR - BIPOLAR
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL - OTHER
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn)
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm - 2.54 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最小电压增益 15000 15000 15000 - 25000
宽度 7.62 mm 3.95 mm 3.95 mm - 7.62 mm
湿度敏感等级 - 1 1 - 1

与LM358N功能相似器件

器件名 厂商 描述
LM358N/NOPB Texas Instruments(德州仪器) Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin PDIP Tube
LM358NG ON Semiconductor(安森美) 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:1.5mA 压摆率(SR):0.6 V/us 电源电压:3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V 双运算放大器,LM358 DIP8封装,LM Series 0.6 V/us 32 V Single Supply Quad Operational Amplifier - PDIP-8
KA358 ON Semiconductor(安森美) 增益带宽积(GBP):- 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):- 电源电压:3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V
LM358N ON Semiconductor(安森美) 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.6 V/us 电源电压:3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V

 
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