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2SK3210L

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
文件大小24KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SK3210L概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK3210(L), 2SK3210(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-760(Z)
Target Specification, 1st. Edition
Dec. 1, 1998
Features
Low on-resistance
R
DS
=35mΩ typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
LDPAK
4
4
D
1
1
2
3
G
2
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
S

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2SK3210L 2SK3210 2SK3210S
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