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1N832C

产品描述Mixer Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小15KB,共2页
制造商Massachusetts Bay Technologies
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1N832C概述

Mixer Diode

1N832C规格参数

参数名称属性值
厂商名称Massachusetts Bay Technologies
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带X BAND
最大噪声指数6.5 dB
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
技术POINT CONTACT
Base Number Matches1

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