Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N6525

文档预览

1N6525: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小91KB，共2页; 制造商VOLTAGE MULTIPLIERS INC.; 官网地址http://www.voltagemultipliers.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

1N6525概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N6525规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	VOLTAGE MULTIPLIERS INC.
包装说明	HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	7 V
JESD-30 代码	E-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	0.15 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5000 V
最大反向恢复时间	0.07 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

2,000 V - 10,000 V Rectifiers

0.10 A - 0.5 A Forward Current

70 ns Recovery Time

AXIAL LEADED

HERMETICALLY SEALED

MIL-PRF-19500/576

1N6521 1N6523

1N6525 1N6527

JANTX

Part

Number

JANTXV

ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Working

Reverse

Voltage

(Vrwm)

Average

Rectified

Current

(Io)

Reverse

Current

@ Vrwm

(Ir)

Forward

Voltage

1 Cycle Repetitive Reverse

Surge

Recovery

Current

Time

tp=8.3ms

(3)

(Ifsm)

(Ifrm)

(Trr)

25°C

Amps

25°C

Amps

25°C

Thermal

Impedance

Junction

Cap.

@50VDC

@ 1kHZ

(Cj)

25°C

(Vf)

25°C

Volts

Amps

J-L

L=000 L=.125 L=.250

°C/W

55°C(1) 100°C(2) 25°C 100°C

Volts

1N6521

1N6523

1N6525

1N6527

Amps

µA

2000

3000

5000

10000

0.500

0.250

0.150

0.100

0.250

0.125

0.075

0.050

0.5

3.0

5.0

7.0

12.0

0.50

0.25

0.15

0.10

21.5

(1)TL=55°C L=0.375" (2)TL=100°C L=0.375" (3)If=125mA, Ir=250mA, Irr=63mA • Op.Temp.= -65°C to +175°C Stg.Temp.= -65°C to +200°C

Part

.220(5.59) MAX.

.160(4.06) MIN.

.240(6.10) MAX.

.180(4.57) MIN.

.260(6.60) MAX.

.200(5.08) MIN.

.320(8.13) MAX.

.260(6.60) MIN.

.135 ±.035

(3.4 ±.76)

1N6521

1N6523

1N6525

1N6527

1.30(33.02)

1.00(25.4)

.030 ±.003

(.76 ±.08)

Dimensions: In. (mm) • All temperatures are ambient unless otherwise noted. • Data subject to change without notice.

VOLTAGE MULTIPLIERS INC.

8711 W. Roosevelt Ave.

Visalia, CA 93291

TEL

559-651-1402

FAX

559-651-0740

www.voltagemultipliers.com

1N6525相似产品对比

	1N6525	DSC1206AS124RJT1	DSC1206AS127KDPB	1N6527
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2	Fixed Resistor, Thick Film, 0.33W, 124ohm, 200V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP	Fixed Resistor, Thick Film, 0.33W, 127000ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 10000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合
包装说明	HERMETIC SEALED PACKAGE-2	CHIP	CHIP	HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	155 °C	155 °C	175 °C
封装形式	LONG FORM	SMT	SMT	LONG FORM
表面贴装	NO	YES	YES	NO

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多