Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N6517

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1N6517: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小95KB，共2页; 制造商VOLTAGE MULTIPLIERS INC.; 官网地址http://www.voltagemultipliers.com/; 标准

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1N6517概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N6517规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	VOLTAGE MULTIPLIERS INC.
包装说明	HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Samacsys Confidence	3
Samacsys Status	Released
Samacsys PartID	3788125
Samacsys Pin Count	2
Samacsys Part Category	Diode
Samacsys Package Category	Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting
Samacsys Footprint Name	1N6517
Samacsys Released Date	2019-10-07 10:24:02
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	8 V
JESD-30 代码	E-XALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5000 V
最大反向恢复时间	0.07 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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2,000 V - 10,000 V Rectifiers

0.5 A - 2.0 A Forward Current

70 ns Recovery Time

AXIAL LEADED

HERMETICALLY SEALED

MIL-PRF-19500/575

1N6513 1N6515

1N6517 1N6519

JANTX

Part

Number

JANTXV

ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Working

Reverse

Voltage

(Vrwm)

Average

Rectified

Current

(Io)

Reverse

Current

@ Vrwm

(Ir)

Forward

Voltage

1 Cycle Repetitive Reverse

Surge

Recovery

Current

Time

tp=8.3ms

(3)

(Ifsm)

(Trr)

25°C

Amps

25°C

Amps

25°C

Thermal

Impedance

Junction

Cap.

@50VDC

@ 1kHZ

(Cj)

25°C

(Vf)

25°C

Volts

Amps

J-L

L=000 L=.125 L=.250

°C/W

55°C(1) 100°C(2) 25°C 100°C

Volts

1N6513

1N6515

1N6517

1N6519

Amps

µA

2000

3000

5000

10000

2.00

1.50

1.00

0.50

1.50

1.00

0.50

0.25

1.0

3.5

6.0

8.0

13.0

2.0

1.5

1.0

0.5

100

(1)TL=55°C L=0.375" (2)TL=100°C L=0.375" (3)If=0.5A, Ir=1.0A, Irr=0.25A • Op.Temp.= -65°C to +175°C Stg.Temp.= -65°C to +200°C

Part

.310(7.82) MAX.

.250(7.6) MIN.

.330(8.38) MAX.

.270(6.85) MIN.

.350(8.89) MAX.

.290(7.37) MIN.

.400(10.16) MAX.

.340(8.64) MIN.

.185 ±.030

(4.7 ±.76)

1N6513

1N6515

1N6517

1N6519

1.30(33.02)

1.00(25.4)

.040 ±.003

(1.02 ±.08)

Dimensions: In. (mm) • All temperatures are ambient unless otherwise noted. • Data subject to change without notice.

VOLTAGE MULTIPLIERS INC.

8711 W. Roosevelt Ave.

Visalia, CA 93291

TEL

559-651-1402

FAX

559-651-0740

www.voltagemultipliers.com

1N6517相似产品对比

	1N6517	DSC1206AS10R2FT1	DSC1206AS124KJT1	1N6519
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2	Fixed Resistor, Thick Film, 0.33W, 10.2ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP	Fixed Resistor, Thick Film, 0.33W, 124000ohm, 200V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 10000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	HERMETIC SEALED PACKAGE-2	CHIP	CHIP	HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	155 °C	155 °C	175 °C
封装形式	LONG FORM	SMT	SMT	LONG FORM
表面贴装	NO	YES	YES	NO

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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