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CSD25485F5T

产品描述20V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共14页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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CSD25485F5T概述

20V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150

CSD25485F5T规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys Description-20V, P ch NexFET MOSFET™, single LGA 0.8x1.5, 42mOhm
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)3.2 A
最大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)23 pF
JESD-30 代码R-XBCC-N3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

CSD25485F5T相似产品对比

CSD25485F5T CSD25485F5
描述 20V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 20V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 8 weeks
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 3.2 A 3.2 A
最大漏源导通电阻 0.07 Ω 0.07 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 23 pF 23 pF
JESD-30 代码 R-XBCC-N3 R-XBCC-N3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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