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CSD17318Q2T

产品描述30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 6-WSON -55 to 150
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小975KB,共15页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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CSD17318Q2T概述

30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 6-WSON -55 to 150

CSD17318Q2T规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time6 weeks
雪崩能效等级(Eas)7.7 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)51 pF
JESD-30 代码S-PDSO-N6
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)68 A
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

CSD17318Q2T相似产品对比

CSD17318Q2T CSD17318Q2
描述 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 6-WSON -55 to 150 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 6-WSON -55 to 150
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 WSON-6
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks
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