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2SK3426

产品描述For Impedance Conversion In Low Frequency
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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2SK3426概述

For Impedance Conversion In Low Frequency

2SK3426规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.00046 A
FET 技术JUNCTION
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Silicon Junction FETs (Small Signal)
2SK3426
Silicon N-Channel Junction
Unit: mm
For impedance conversion in low frequency
For electret capacitor microphone
I
Features
High mutual conductance g
m
Low noise voltage of NV
0.33
+0.05
–0.02
3
0.10
+0.05
–0.02
(0.40) (0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
0.15 min.
0.23
+0.05
–0.02
1
2
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Drain-source current
Drain-gate current
Gate-source current
Allowable power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Symbol
V
DSO
V
DGO
I
DSO
I
DGO
I
GSO
P
D
T
opr
T
stg
Rating
20
20
2
2
2
100
−20
to
+80
−55
to
+125
Unit
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
0 to 0.01
0.52
±0.03
1: Drain
2: Source
3: Gate
SSSMini3-F1 Package
Marking Symbol: 4E
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
±
3°C
Parameter
Drain current
Symbol
I
D
*1
Conditions
V
DS
=
2.0 V, R
D
=
2.2 kΩ
±
1%
V
DS
=
2.0 V, R
D
=
2.2 kΩ
±
1%, V
GS
=
0
V
D
=
2.0 V, V
GS
=
0, f
=
1 kHz
V
D
=
2.0 V, R
D
=
2.2 kΩ
±
1%
C
O
=
5 pF, A-Curve
V
D
=
2.0 V, R
D
=
2.2 kΩ
±
1%
C
O
=
5 pF, e
G
=
10 mV, f
=
1 kHz
V
D
=
12 V, R
D
=
2.2 kΩ
±
1%
C
O
=
5 pF, e
G
=
10 mV, f
=
1 kHz
V
D
=
1.5 V, R
D
=
2.2 kΩ
±
1%
C
O
=
5 pF, e
G
=
10 mV, f
=
1 kHz
V
D
=
2.0 V, R
D
=
2.2 kΩ
±
1%
C
O
=
5 pF, e
G
=
10 mV, f
=
1 kHz to 70 Hz
Min
100
107
660
Typ
Max
330
310
Unit
µA
µS
I
DSS
Mutual conductance
Noise voltage
Voltage gain
g
m
NV
G
V1
G
V2
G
V3
∆G
V
. f
*2
Voltage gain difference
G
V2
G
V1
G
V1
G
V3
1 300
8
µV
dB
−8.5
−5.0
−9.0
−3.0
0.5
−3.5
0
1.5
4.0
1.5
0
0
dB
Note) *1: I
D
is assured for I
DSS
.
*2:
∆G
V
. f is assured for AQL 0.065%. (the measurement method is used by source-grounded circuit.)
0.15 max.
0.15 min.
0.80
±0.05
1.20
±0.05
Publication date: April 2002
SJF00033AED
1
已出
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