IDT7252L50CB,IDT7252L50CB pdf中文资料,IDT7252L50CB引脚图,IDT7252L50CB电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7252L50CB: 产品描述Bi-Directional FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, MOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48; 产品类别存储存储; 文件大小973KB，共29页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7252L50CB概述

Bi-Directional FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, MOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
针数	48
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	50 ns
其他特性	PARITY GENERATOR/CHECKER; BYPASS XCVR; PORTA/PORTB:1024 X 18/2048 X 9
周期时间	65 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T48
JESD-609代码	e0
内存密度	18432 bit
内存集成电路类型	BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度	9
功能数量	1
端子数量	48
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX9
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP48,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.004 A
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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