Single Inverter Gate 6-SON -40 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | VSON, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| 系列 | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N6 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 1.45 mm |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER |
| 最大I（ol） | 0.032 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 输入次数 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VSON |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 最大电源电流（ICC） | 0.01 mA |
| 传播延迟（tpd） | 5.5 ns |
| 座面最大高度 | 0.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 1 mm |
| SN74LVC1GU04DRY2 | SN74LVC1GU04DPWR | SN74LVC1GU04 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Single Inverter Gate 6-SON -40 to 125 | Single Inverter Gate 5-X2SON -40 to 85 | SN74LVC1GU04 Single Inverter Gate |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | - |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | - |
| 包装说明 | VSON, | HVBCC, | - |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | - |
| Factory Lead Time | 8 weeks | 6 weeks | - |
| 系列 | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N6 | S-PBCC-B5 | - |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | - |
| 长度 | 1.45 mm | 0.8 mm | - |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER | INVERTER | - |
| 最大I（ol） | 0.032 A | 0.032 A | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - |
| 输入次数 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 6 | 5 | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | - |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | VSON | HVBCC | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED | - |
| 最大电源电流（ICC） | 0.01 mA | 0.01 mA | - |
| 传播延迟（tpd） | 5.5 ns | 5 ns | - |
| 座面最大高度 | 0.6 mm | 0.4 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | INDUSTRIAL | - |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
| 端子形式 | NO LEAD | BUTT | - |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 1 mm | 0.8 mm | - |
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