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INA211BIRSWR

产品描述26-V, Bi-Directional, Zero-Drift, High Accuracy, Low-/High-Side, Voltage Out Current Shunt Monitor 10-UQFN -40 to 125
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共45页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数

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INA211BIRSWR概述

26-V, Bi-Directional, Zero-Drift, High Accuracy, Low-/High-Side, Voltage Out Current Shunt Monitor 10-UQFN -40 to 125

INA211BIRSWR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明UQFN-10
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID650409
Samacsys Pin Count10
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryOther
Samacsys Footprint NameRSW(R-PUQFN-N10)MANUAL
Samacsys Released Date2017-08-17 16:25:09
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)35 µA
最大共模电压26 V
最小共模抑制比105 dB
标称共模抑制比140 dB
最大输入失调电压35 µV
JESD-30 代码R-PQCC-N10
JESD-609代码e4
长度1.8 mm
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量10
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VQCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
座面最大高度0.55 mm
标称压摆率0.4 V/us
供电电压上限26 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.4 mm
端子位置QUAD
标称均一增益带宽7 kHz
标称电压增益500
宽度1.4 mm
Base Number Matches1
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