30-V Dual N-Channel MOSFET, Common Source 8-VSON -55 to 150
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 6 weeks |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 10 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 194 pF |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 89 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
CSD87503Q3E | CSD87503Q3ET | |
---|---|---|
描述 | 30-V Dual N-Channel MOSFET, Common Source 8-VSON -55 to 150 | 30-V Dual N-Channel MOSFET, Common Source 8-VSON -55 to 150 |
Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
Factory Lead Time | 6 weeks | 12 weeks |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 10 A | 10 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 194 pF | 194 pF |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N8 | S-PDSO-N6 |
JESD-609代码 | e4 | e4 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 6 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 89 A | 89 A |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved