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INA215BIRSWR: 产品描述26-V, Bi-Directional, Zero-Drift, High Accuracy, Low-/High-Side, Voltage Out Current Shunt Monitor 10-UQFN -40 to 125; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小2MB，共45页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准

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26-V, Bi-Directional, Zero-Drift, High Accuracy, Low-/High-Side, Voltage Out Current Shunt Monitor 10-UQFN -40 to 125

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	VQCCN,
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	6 weeks
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	35 µA
最大共模电压	26 V
最小共模抑制比	105 dB
标称共模抑制比	140 dB
最大输入失调电压	60 µV
JESD-30 代码	R-PQCC-N10
JESD-609代码	e4
长度	1.8 mm
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	10
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VQCCN
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
座面最大高度	0.55 mm
标称压摆率	0.4 V/us
供电电压上限	26 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.4 mm
端子位置	QUAD
标称均一增益带宽	40 kHz
标称电压增益	75
宽度	1.4 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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