电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

LP3996QSD-1833-NOPB

产品描述LDO Voltage Regulators Dual Linear Reg w/ 300mA & 150mA Output
产品类别半导体    电源管理   
文件大小1MB,共20页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

LP3996QSD-1833-NOPB在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
LP3996QSD-1833-NOPB - - 点击查看 点击购买

LP3996QSD-1833-NOPB概述

LDO Voltage Regulators Dual Linear Reg w/ 300mA & 150mA Output

LP3996QSD-1833-NOPB规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Texas Instruments(德州仪器)
产品种类
Product Category
LDO Voltage Regulators
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
WSON-10
Output Voltage800 mV to 3.3 V
Output Current300 mA
Number of Outputs2 Output
Input Voltage MAX6 V
Input Voltage MIN2 V
输出类型
Output Type
Adjustable
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Load Regulation155 uV / mA
Dropout Voltage210 mV
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
工作温度范围
Operating Temperature Range
- 40 C to + 125 C
产品
Product
LDO Regulators
类型
Type
Low Dropout Voltage Regulator
Dropout Voltage - Max550 mV
PSRR / Ripple Rejection - Typ70 dB
Voltage Regulation Accuracy1.5 %
Line Regulation0.03 %/V
工作电源电流
Operating Supply Current
70 uA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
单位重量
Unit Weight
0.000681 oz

LP3996QSD-1833-NOPB相似产品对比

LP3996QSD-1833-NOPB LP3996QSDX-1833-NOPB LP3996QSDX-1833/NOPB LP3996QSD-1833/NOPB LP3996-Q1
描述 LDO Voltage Regulators Dual Linear Reg w/ 300mA & 150mA Output LDO Voltage Regulators Dual Linear Reg w/ 300mA & 150mA Output Dual Linear Regulator with 300mA and 150mA Outputs and Power-On-Reset for Automotive Applications 10-WSON -40 to 125 Dual Linear Regulator with 300mA and 150mA Outputs and Power-On-Reset for Automotive Applications 10-WSON -40 to 125 LP3996-Q1 Dual Linear Regulator with 300mA and 150mA Outputs and Power-On-Reset for Automotive Applications
C28 CPU及其指令集
C2000的汇编语言好象很少有人关注,但不懂它的指令系统,肯定是对它的了解是不完备的。希望这个资料对大家有帮助...
dontium 微控制器 MCU
求分享dsPIC33EP32MC204最小系统原理图
求大佬分享dsPIC33EP32MC204最小系统原理图和相关资料?功能越齐全越好,拜谢。{:1_131:}...
zhizaibide Microchip MCU
FSMC具体作用过程是这样的吗?
FSMC具体的作用是这个吗:CPU要访问SRAM时,首先MCU的引脚与FSMC通信(具体是怎么通信的?)然后FSMC与SRAM进行读时序把SRAM的内容存到自己的内存里面(是不是FSMC内存里面?),芯片内部(不知道怎么称呼)就直接取值吗?...
electrics stm32/stm8
求教:uC/OS-II内存管理在实际使用中的问题
uC/OS-II的内存管理中创建的内存块大小都是一样的大小.如果都块大小是100.而我们在申请内存的时候使用大小为20的情况加多,这样就会导致内存的使用效率不高如果定义块大小为20.那么在使用到大块的数据内存就没办法调用内核函数.是否有办法创建内存池的时候可以自己定义内存块大小和数目.如:大小为20的50块.大小为100的10块大小为1000的为2块........求高手指点下,最好能有源码.谢谢...
further_away 实时操作系统RTOS
quartus ii 8.0
在quartus ii 8.0进行完全编译时提示不支持EPM3128_ATC_144,请指点......
张肖肖 嵌入式系统
TI eSMO 库Fsmopos和Gsmopos参数解析
作者:Hardy Zhou在电机无感控制算法方面,TI提供了eSMO滑模观测器来计算电机转子角度. 在应用方面,TI提供了eSMO lib文件和相关文档说明eSMO的使用,但是在使用过程中,可能没法从相关文档上理解Fsmopos和Gsmopos的含义,不方便调试. 因此本篇主要推导 TI eSMO电流计算公式,并导出Fsmopos和Gsmopos(分别简称F和G)公式,同时我们可以从推导出的公式看...
alan000345 模拟与混合信号

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 217  417  508  1334  1337 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved