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TLC3704MDRG4

产品描述Analog Comparators LO-PWR LinCMOS Quad Comparator
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共38页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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TLC3704MDRG4概述

Analog Comparators LO-PWR LinCMOS Quad Comparator

TLC3704MDRG4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明GREEN, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14
针数14
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB)0.03 µA
最大输入失调电压10000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G14
JESD-609代码e4
长度8.65 mm
湿度敏感等级1
负供电电压上限-18 V
功能数量4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出类型PUSH-PULL
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP14,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称响应时间2700 ns
座面最大高度1.75 mm
最大压摆率0.175 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm

TLC3704MDRG4相似产品对比

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描述 Analog Comparators LO-PWR LinCMOS Quad Comparator Analog Comparators Quad Voltage Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator with Totem Pole Output 20-LCCC -55 to 125 Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator with Totem Pole Output 14-CDIP -55 to 125 Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator with Totem Pole Output 20-LCCC -55 to 125 Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator with Totem Pole Output 14-CDIP -55 to 125 TLC3704M Low-Power LinCMOS™ Quad Comparator with Totem Pole Output TLC3704 Quad, Micropower, Push-Pull Outputs, LinCMOS™ Voltage Comparator
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) - -
零件包装代码 SOIC - QLCC DIP QLCC DIP - -
包装说明 GREEN, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14 - LCC-20 DIP-14 QCCN, LCC20,.35SQ DIP, DIP14,.3 - -
针数 14 - 20 14 20 14 - -
Reach Compliance Code unknown - not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - -
放大器类型 COMPARATOR - COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR - -
最大平均偏置电流 (IIB) 0.03 µA - 0.00003 µA 0.00003 µA 0.00003 µA 0.00003 µA - -
最大输入失调电压 10000 µV - 10000 µV 10000 µV 10000 µV 10000 µV - -
JESD-30 代码 R-PDSO-G14 - S-CQCC-N20 R-GDIP-T14 S-CQCC-N20 R-GDIP-T14 - -
长度 8.65 mm - 8.89 mm 19.56 mm 8.89 mm 19.56 mm - -
负供电电压上限 -18 V - -18 V -18 V -18 V -18 V - -
功能数量 4 - 4 4 4 4 - -
端子数量 14 - 20 14 20 14 - -
最高工作温度 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C - -
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C - -
输出类型 PUSH-PULL - PUSH-PULL PUSH-PULL PUSH-PULL PUSH-PULL - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED - -
封装代码 SOP - QCCN DIP QCCN DIP - -
封装等效代码 SOP14,.25 - LCC20,.35SQ DIP14,.3 LCC20,.35SQ DIP14,.3 - -
封装形状 RECTANGULAR - SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR - -
封装形式 SMALL OUTLINE - CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE - -
峰值回流温度(摄氏度) 260 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V - -
认证状态 Not Qualified - Qualified Qualified Not Qualified Not Qualified - -
标称响应时间 2700 ns - 2700 ns 2700 ns 2700 ns 2700 ns - -
座面最大高度 1.75 mm - 2.03 mm 5.08 mm 2.03 mm 5.08 mm - -
最大压摆率 0.175 mA - 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA - -
供电电压上限 18 V - 18 V 18 V 18 V 18 V - -
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V - -
表面贴装 YES - YES NO YES NO - -
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS - -
温度等级 MILITARY - MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY - -
端子形式 GULL WING - NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE - -
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm - -
端子位置 DUAL - QUAD DUAL QUAD DUAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
宽度 3.9 mm - 8.89 mm 7.62 mm 8.89 mm 7.62 mm - -

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