Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS62LV5128L-70BI

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IS62LV5128L-70BI: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36; 产品类别存储存储; 文件大小62KB，共10页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS62LV5128L-70BI概述

Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36

IS62LV5128L-70BI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	6 X 8 MM, MINI, BGA-36
针数	36
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B36
JESD-609代码	e0
长度	8 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA36,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.35 mm
最大待机电流	0.000001 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm
Base Number Matches	1

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IS62LV5128L

IS62LV5128LL

512K x 8 LOW POWER and LOW Vcc

CMOS STATIC RAM

FEATURES

• Access times of 70, 85 and 100 ns

•

CMOS low power operation:

— 120 mW (typical) operating

— 6 µW (typical) standby

• Low data retention voltage: 2V (min.)

• Output Enable (OE) and Chip Enable

(CE) inputs for ease in applications

• TTL compatible inputs and outputs

• Fully static operation:

— No clock or refresh required

• Single 2.5V to 3.3V power supply

• Available in 36-pin mini BGA

ISSI

DESCRIPTION

MAY 2000

The

ISSI

IS62LV5128L and IS62LV5128LL is a low

voltage, 524,288 words by 8 bits, CMOS SRAM. It is

fabricated using

ISS

I’s low voltage, six transistor (6T),

CMOS technology. The device is targeted to satisfy the

demands of the state-of-the-art technologies such as

cell phones and pagers.

When

is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be reduced

down with CMOS input levels. Additionally, easy memory

expansion is provided by using Chip Enable and Output

Enable inputs,

and

OE.

The active LOW Write Enable (WE)

controls both writing and reading of the memory.

The IS62LV5128L and IS62LV5128LL are available in a

36-pin mini BGA package.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A18

DECODER

512K x 8

MEMORY ARRAY

VCC

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

I/O0-I/O7

COLUMN I/O

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. A

06/01/00

IS62LV5128L-70BI相似产品对比

	IS62LV5128L-70BI	IS62LV5128L-85BI	IS62LV5128LL-10BI	IS62LV5128L-10B	IS62LV5128L-10BI	IS62LV5128L-85B	IS62LV5128LL-10B	IS62LV5128L-70B
描述	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	6 X 8 MM, MINI, BGA-36	6 X 8 MM, MINI, BGA-36	6 X 8 MM, MINI, BGA-36	6 X 8 MM, MINI, BGA-36	6 X 8 MM, MINI, BGA-36	6 X 8 MM, MINI, BGA-36	6 X 8 MM, MINI, BGA-36	6 X 8 MM, MINI, BGA-36
针数	36	36	36	36	36	36	36	36
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns	85 ns	100 ns	100 ns	100 ns	85 ns	100 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	36	36	36	36	36	36	36	36
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	240	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	240	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm
最大待机电流	0.000001 A	0.000001 A	0.000001 A	4e-7 A	0.000001 A	4e-7 A	4e-7 A	4e-7 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.05 mA	0.045 mA	0.04 mA	0.035 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.035 mA	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm
是否无铅	含铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅	-	含铅
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-

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