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BUZ60

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共4页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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BUZ60概述

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

BUZ60规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.5 A
最大漏极电流 (ID)5.5 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)60 pF
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
最大功率耗散 (Abs)75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)22 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)205 ns
最大开启时间(吨)105 ns
Base Number Matches1
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