55A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | ULTRA FAST SPEED |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 55 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE |
JEDEC-95代码 | TO-247AD |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 350 ns |
标称接通时间 (ton) | 54 ns |
Base Number Matches | 1 |
IRG4PC50U-EPBF | IRG4PC50U-E | |
---|---|---|
描述 | 55A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | TO-247AD, 3 PIN |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
其他特性 | ULTRA FAST SPEED | ULTRA FAST SPEED |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 55 A | 55 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
JEDEC-95代码 | TO-247AD | TO-247AD |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 350 ns | 350 ns |
标称接通时间 (ton) | 54 ns | 54 ns |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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