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IS71VPCF32ES04-7070BI

产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73
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文件大小216KB,共48页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS71VPCF32ES04-7070BI概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73

IS71VPCF32ES04-7070BI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码BGA
包装说明8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73
针数73
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间70 ns
其他特性SRAM ORGANISATION IS 256K X 16/512K X 8
JESD-30 代码R-PBGA-B73
JESD-609代码e0
长度11.6 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量73
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA73,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.053 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1

IS71VPCF32ES04-7070BI相似产品对比

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描述 Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73 Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73 Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73 Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73
针数 73 73 73 73
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns
其他特性 SRAM ORGANISATION IS 256K X 16/512K X 8 SRAM ORGANISATION IS 256K X 16/512K X 8 SRAM ORGANISATION IS 256K X 16/512K X 8 SRAM ORGANISATION IS 256K X 16/512K X 8
JESD-30 代码 R-PBGA-B73 R-PBGA-B73 R-PBGA-B73 R-PBGA-B73
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 11.6 mm 11.6 mm 11.6 mm 11.6 mm
内存密度 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16 16 16 16
混合内存类型 FLASH+SRAM FLASH+SRAM FLASH+SRAM FLASH+SRAM
功能数量 1 1 1 1
端子数量 73 73 73 73
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 2MX16 2MX16 2MX16 2MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA
封装等效代码 BGA73,10X12,32 BGA73,10X12,32 BGA73,10X12,32 BGA73,10X12,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.053 mA 0.053 mA 0.053 mA 0.053 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
Base Number Matches 1 1 1 1
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