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JANTXV1N4108D

产品描述Zener Diode, 14V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小316KB,共2页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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JANTXV1N4108D概述

Zener Diode, 14V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

JANTXV1N4108D规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码DO-35
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/435
标称参考电压14 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差1%
工作测试电流0.25 mA
Base Number Matches1

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Silicon Zener Diode Series
1N4099 thru 1N4135, 1N4099-1 thru 1N4135-1
Features
1N4099-1 thru 1N4135-1 Available in JAN, JANTX, JANTXV
and JANS per MIL-PRF-19500/435
Low Current Operation at 250
μA
Low Reverse Leakage and Low Noise Characteristics
Metallurgically Bonded
Also available in DO-213 MELF style package
Maximum Ratings
Junction Temperature:
Storage Temperature:
DC Power Dissipation:
Power Derating:
-65°C to +175°C
-65°C to +175°C
500 mW @ +50°C
4 mW / °C above +50°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum
Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified)
JEDEC
TYPE
NUMBER
(NOTE 1)
1N4099
1N4100
1N4101
1N4102
1N4103
1N4104
1N4105
1N4106
1N4107
1N4108
1N4109
1N4110
1N4111
1N4112
1N4113
1N4114
1N4115
1N4116
1N4117
1N4118
1N4119
1N4120
1N4121
1N4122
1N4123
1N4124
1N4125
1N4126
1N4127
1N4128
1N4129
1N4130
1N4131
1N4132
1N4133
1N4134
1N4135
VOLTS
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
ZENER
TEST
CURRENT
IZT
(NOTE 2)
mA
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
(NOTE 3)
ZZT@ IZT
OHMS
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
250
250
300
300
400
500
700
700
800
1000
1200
1500
μA
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
VOLTS
5.17
5.70
6.24
6.61
6.92
7.60
8.44
9.12
9.87
10.65
11.40
12.15
12.92
13.67
14.44
15.20
16.72
18.25
19.00
20.46
21.28
22.80
25.08
27.38
29.65
32.65
35.75
38.76
42.60
45.60
47.10
51.68
57.00
62.32
66.12
69.16
76.00
μ V/√Hz
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
mA
56
51
46
44
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
14
13
12
11
9.8
8.9
8.1
7.5
6.7
6.4
6.1
5.6
5.1
4.6
4.4
4.2
3.8
MAXIMUM
REVERSE CURRENT
IR @ VR
MAXIMUM
NOISE
DENSITY
ND @ IZT
MAXIMUM
ZENER
CURRENT
IZM
NOTE 1: The JEDEC type numbers shown above have a Zener voltage tolerance of + 5% of the nominal Zener voltage.
Vz is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient temperature of 25°C + 3°C.
A “C” suffix denotes a + 2% tolerance and a “D” suffix denotes a + 1% tolerance.
Revision Date: 4/16/2012
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