Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA56, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-56
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SPANSION |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-56 |
| 针数 | 56 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | PSRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B56 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 长度 | 9.2 mm |
| 内存密度 | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 56 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 2MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| S71NS032J80BJWRA0 | S71NS032J80BJWRA3 | S71NS032J80BJWRA2 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA56, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-56 | Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA56, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-56 | Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA56, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-56 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | SPANSION | SPANSION | SPANSION |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-56 | 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-56 | 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-56 |
| 针数 | 56 | 56 | 56 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | PSRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16 | PSRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16 | PSRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B56 | R-PBGA-B56 | R-PBGA-B56 |
| JESD-609代码 | e2 | e2 | e2 |
| 长度 | 9.2 mm | 9.2 mm | 9.2 mm |
| 内存密度 | 33554432 bit | 33554432 bit | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 56 | 56 | 56 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -25 °C | -25 °C |
| 组织 | 2MX16 | 2MX16 | 2MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni) | Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni) | Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni) |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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