Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT70V7399S200BCG8

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IDT70V7399S200BCG8: 产品描述Dual-Port SRAM, 128KX18, 10ns, PBGA256, BGA-256; 产品类别存储存储; 文件大小488KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70V7399S200BCG8概述

Dual-Port SRAM, 128KX18, 10ns, PBGA256, BGA-256

IDT70V7399S200BCG8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA,
针数	256
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e1
长度	17 mm
内存密度	2359296 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	256
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	17 mm
Base Number Matches	1

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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18

SYNCHRONOUS

BANK-SWITCHABLE

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

IDT70V7399S

128K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported

SRAM Architecture

–

64 independent 2K x 18 banks

– 2 megabits of memory on chip

Bank access controlled via bank address pins

High-speed data access

– Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 3.6 (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timed write allows fast cycle time

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply

for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in a 144-pin Thin Quad Flatpack (TQFP),

208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball

Grid Array (BGA)

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the

144-pin TQFP package.

Functional Block Diagram

PL/FT

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

PL/FT

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

CONTROL

LOGIC

MUX

2Kx18

MEMORY

ARRAY

(BANK 0)

MUX

CONTROL

LOGIC

I/O

0L-17L

I/O

CONTROL

MUX

2Kx18

MEMORY

ARRAY

(BANK 1)

MUX

I/O

CONTROL

I/O

0R-17R

10L

ADDRESS

DECODE

ADDRESS

DECODE

10R

BANK

DECODE

MUX

2Kx18

MEMORY

ARRAY

(BANK 63)

BANK

DECODE

NOTE:

1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM

core instead of the traditional dual-port SRAM core.

As a result, it has unique operating characteristics.

Please refer to the functional description on page 19

for details.

MUX

TDI

TDO

JTAG

TMS

TCK

TRST

5630 drw 01

DECEMBER 2002

DSC 5630/6

IDT70V7399S200BCG8相似产品对比

	IDT70V7399S200BCG8	IDT70V7399S166BCG8	IDT70V7399S133BCGI8	IDT70V7399S133BCG8	IDT70V7399S166BCGI8	IDT70V7399S133BFG8	IDT70V7399S133BFGI8	IDT70V7399S166BFG8
描述	Dual-Port SRAM, 128KX18, 10ns, PBGA256, BGA-256	Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, PBGA256, BGA-256	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PBGA256, BGA-256	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PBGA256, BGA-256	Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, PBGA256, BGA-256	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PBGA208, FBGA-208	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PBGA208, FBGA-208	Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, PBGA208, FBGA-208
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
针数	256	256	256	256	256	208	208	208
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	12 ns	15 ns	15 ns	12 ns	15 ns	15 ns	12 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	S-PBGA-B208	S-PBGA-B208	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	256	256	256	256	256	208	208	208
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	15 mm	15 mm	15 mm

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