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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JAN2N1893S
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JAN2N1893S

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小314KB，共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JAN2N1893S概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

JAN2N1893S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time22 weeks
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/182
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

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2N1893S
Silicon NPN Transistor
Data Sheet
Description
Semicoa Semiconductors offers:
•
Screening and processing per MIL-PRF-19500
Appendix E
•
JAN level (2N1893SJ)
•
JANTX level (2N1893SJX)
•
JANTXV level (2N1893SJV)
•
QCI to the applicable level
•
100% die visual inspection per MIL-STD-750 method
2072 for JANTXV
•
Radiation testing (total dose) upon request
Applications
•
General purpose
•
Low power
•
NPN silicon transistor
Features
•
•
•
•
Hermetically sealed TO-39 metal can
Also available in chip configuration
Chip geometry 4500
Reference document:
MIL-PRF-19500/182
Benefits
Please contact Semicoa for special configurations
www.SEMICOA.com or (714) 979-1900
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Power Dissipation, T
A
= 25
O
C
Derate linearly above 60
O
C
Power Dissipation, T
C
= 25
O
C
Derate linearly above 25
O
C
Thermal Resistance
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
•
Qualification Levels: JAN, JANTX, and
JANTXV
•
Radiation testing available
T
C
= 25°C unless otherwise specified
Rating
80
120
7
500
0.8
5.7
3.0
17.2
175
-65 to +200
Unit
Volts
Volts
Volts
mA
W
mW/°C
W
mW/°C
°C/W
°C
R
θJA
T
J
T
STG
Copyright 2002
Rev. F
Semicoa Semiconductors, Inc.
333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541
Page 1 of 2
www.SEMICOA.com

JAN2N1893S相似产品对比

JAN2N1893S JANTX2N1893S JANTXV2N1893S
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-39 TO-39 TO-39
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W 0.8 W 0.8 W
认证状态 Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/182 MIL-19500/182 MIL-19500/182
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz
Base Number Matches 1 1 1
Factory Lead Time 22 weeks 24 weeks -

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