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3.0SMCJ51CATR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小427KB,共6页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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3.0SMCJ51CATR概述

Trans Voltage Suppressor Diode,

3.0SMCJ51CATR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
Reach Compliance Codecompliant
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码e3
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
端子面层Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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3.0SMCJ SERIES
TechniAl Data
Data Sheet N0001 Rev. B
Automotive Qualified
3.0SMCJ SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Features
Glass Passivated Die Construction
3000W Peak Pulse Power Dissipation
5.0V- 170V Standoff Voltage
Uni- and Bi-Directional Versions Available
Excellent Clamping Apability
Fast Response Time
Plastic Ase Material has UL Flammability
ClassifiAtion Rating 94V-O
“-A” is an AEC-Q101 qualified device
This is a Pb − Free Device
All SMC Parts are Traceable to the Wafer Lot
Additional testing An be offered upon request
SMC
Circuit Diagram
MechaniAl Data
Ase: SMC Low Profile Molded Plastic
Terminals: Solder Plated , Solderable per MIL-STD
750, Method 2026
Polarity: Athode Band or Athode Notch
Unipolar
Bipolar
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Parameter
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000us waveform
(NOTE 1, 2, Fig.1)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms
Single Half Sine Wave (Note 2),(Note 3)
TypiAl Thermal Resistance Junction to Lead
TypiAl Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes:
Symbol
P
PPM
I
FSM
R
θJL
R
θJA
T
J
,T
STG
Value
3000
300
15
75
-55 to 150
Units
W
A
°C/W
°C/W
°C
1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated above T
l
= 25°C per Fig. 2.
2. Mounted on Copper Pad area of 0.8x0.8" (20x20mm) per Fig.5.
3. Measured on 8.3ms single half sine wave or equivalent square wave, duty cycle=4pulses per minute maximum.
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com
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