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BUK7610-30118

产品描述TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小249KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BUK7610-30118概述

TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

BUK7610-30118规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性ESD PROTECTION
雪崩能效等级(Eas)200 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.0105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)240 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BUK7610-30118相似产品对比

BUK7610-30118 BUK7610-30,118
描述 TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power 75A, 30V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 ESD PROTECTION ESD PROTECTION
雪崩能效等级(Eas) 200 mJ 200 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.0105 Ω 0.0105 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 240 A 240 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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