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JAN1N5376DTR

产品描述3.3 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小151KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN1N5376DTR概述

3.3 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

简单介绍LVDT位移传感器的构成原理及特点
简单介绍LVDT位移传感器的构成原理及特点  前言  LVDT(Linear.Variable.Differential.Transformer)是线性可变差动变压器缩写,简单地说是铁芯可动变压器。所以,LVDT位移传感器也可称之为LVDT差动变压器式位移传感器,它由一个初级线圈、两个次级线圈、铁芯、线圈骨架、外壳等部件组成。当铁芯由中间向两边移动时,次级两个线圈输出电压之 差与铁芯移动成线性关系...
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