ICL7631EMJE/B放大器基础信息：
ICL7631EMJE/B是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP16,.3
ICL7631EMJE/B放大器核心信息：
ICL7631EMJE/B的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.00005 µA
ICL7631EMJE/B的可编程功率为YES。
而其供电电源的范围为：+-1/+-5 V。ICL7631EMJE/B的输入失调电压为25000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
ICL7631EMJE/B的相关尺寸：
ICL7631EMJE/B拥有16个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
ICL7631EMJE/B放大器其他信息：
ICL7631EMJE/B采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。ICL7631EMJE/B的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
ICL7631EMJE/B不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-XDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为：e0。ICL7631EMJE/B的封装代码是：DIP。ICL7631EMJE/B封装的材料多为CERAMIC。
而其封装形状为RECTANGULAR。ICL7631EMJE/B封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
ICL7631EMJE/B放大器基础信息：
ICL7631EMJE/B是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP16,.3
ICL7631EMJE/B放大器核心信息：
ICL7631EMJE/B的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.00005 µA
ICL7631EMJE/B的可编程功率为YES。
而其供电电源的范围为：+-1/+-5 V。ICL7631EMJE/B的输入失调电压为25000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
ICL7631EMJE/B的相关尺寸：
ICL7631EMJE/B拥有16个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
ICL7631EMJE/B放大器其他信息：
ICL7631EMJE/B采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。ICL7631EMJE/B的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
ICL7631EMJE/B不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-XDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为：e0。ICL7631EMJE/B的封装代码是：DIP。ICL7631EMJE/B封装的材料多为CERAMIC。
而其封装形状为RECTANGULAR。ICL7631EMJE/B封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | General Electric Solid State |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 25000 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 功能数量 | 3 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | +-1/+-5 V |
| 可编程功率 | YES |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| ICL7631EMJE/B | ICL7631EMJE/883C | ICL7631EMJE/C | ICL7631BCPE | ICL7631CCPE | ICL7631BMJE/C | ICL7631BMJE/883C | ICL7631BMJE/B | ICL7631CCJE | ICL7631CMJE | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifier, 3 Func, 25000uV Offset-Max, CMOS, CDIP16 | Operational Amplifier, 3 Func, 25000uV Offset-Max, CMOS, CDIP16 | Operational Amplifier, 3 Func, 25000uV Offset-Max, CMOS, CDIP16 | Operational Amplifier, 3 Func, 7000uV Offset-Max, CMOS, PDIP16 | Operational Amplifier, 3 Func, 15000uV Offset-Max, CMOS, PDIP16, | Operational Amplifier, 3 Func, 7000uV Offset-Max, CMOS, CDIP16 | Operational Amplifier, 3 Func, 7000uV Offset-Max, CMOS, CDIP16 | Operational Amplifier, 3 Func, 7000uV Offset-Max, CMOS, CDIP16 | Operational Amplifier, 3 Func, 15000uV Offset-Max, CMOS, CDIP16 | Operational Amplifier, 3 Func, 15000uV Offset-Max, CMOS, CDIP16, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | General Electric Solid State | General Electric Solid State | General Electric Solid State | General Electric Solid State | General Electric Solid State | General Electric Solid State | General Electric Solid State | General Electric Solid State | General Electric Solid State | General Electric Solid State |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknow |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA |
| 频率补偿 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 25000 µV | 25000 µV | 25000 µV | 7000 µV | 15000 µV | 7000 µV | 7000 µV | 7000 µV | 15000 µV | 15000 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 低-偏置 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 功能数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 70 °C | 70 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 70 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | - | - | -55 °C | -55 °C | -55 °C | - | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | +-1/+-5 V | +-1/+-5 V | +-1/+-5 V | +-1/+-5 V | +-1/+-5 V | +-1/+-5 V | +-1/+-5 V | +-1/+-5 V | +-1/+-5 V | +-1/+-5 V |
| 可编程功率 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY | MILITARY | MILITARY | COMMERCIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | MIL-STD-883 Class C | MIL-STD-883 Class C | - | - | MIL-STD-883 Class C | MIL-STD-883 Class C | 38535Q/M;38534H;883B | - | - |
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